MLV(多层压敏电阻)多层片式压敏电阻专门设计用来抑制静电放电。它是采用层叠片式半导体陶瓷技术元件，提供优良的浪涌吸收能力和内部散热能力，该元件是一种无引线的片式结构，寄生电感很小。与传统的齐纳二极管和压敏电阻相似，但是体积更小，重量更轻，响应速度更快。

压敏电阻特点：在低电压有极高的阻抗；在高电压有极低的阻抗。

以BUSSMANN MLV系列ESD抑制器为例，介绍该器件的主要参数

1、最大工作电压Max Working Voltage：允许长期连续施加在ESD保护器件两端的工频电压的有效值，在此工作状态下ESD器件保持高阻态，这个电压大于等于正常工作电压。

a)交流工作电压 Working Voltage Vrms：均方根值，压敏电阻能持续工作的最大的交流电压，此时的漏电流小于10uA。

b)直流工作电压Working Voltage Vdc：压敏电阻能持续工作的最大的直流电压，此时的漏电流小于10uA。

2、触发电压 Triggering Voltage ：ESD元件开始动作（导通）电压，是电压曲线的最高点。标称触发电压通常为1mA直流电流所对应的电压。

3、压敏电压Varistor Voltage：元件通过了1mA直流电流时的电压。另外一种叫法 VB，击穿电压。

4、钳位电压 Clamping Voltage：在规定脉冲波形（8/20us）和脉冲电流（1A）条件下，元件两端产生的峰值电压。需要指出的是峰值电压和峰值电流的产生在时间上不一定要一致。ESD元件上的类似于稳态电压，其值越小使得静电脉冲对被保护器件的损伤越小。

5、漏电电流 Leakage Current：在指定直流工作电压的作用下，ESD保护器件中流过的电流，其值越小对被保护电路影响越小。

6、电容 Capacitance：元件在规定的偏置电压（1V)、规定的频率（1MHz)下测得。其值越小，对传输信号影响越小，对数据信号的正常传输起重要作用。但不是说这个值越小越好，大体上，在高频信号需要做ESD防护的时候，就需要1PF以下的低容值。

7、峰值电流Peak Current：峰值电流：应用在8/20us波形下，没有器件失效的最大峰值电流

8、瞬态能量Transient Energy： 瞬态能量：在10/1000us波形下没有器件失效的能有吸收的最大能量

MLV的优缺点

优点：稳定；极性；价格极低；因本身承受静电能量，所以流到大地上的能量减少。

缺点：钳位电压较高； 漏电流较大；容值较高，低容值产品价格较高； 因本身承受静电能量，所以抗冲击次数不高。

应用建议

1）为了得到更好的性能，器件尽量放置在接近信号输入端位置或在被保护元件的前面。

2）由于ESD器件会经受大电压和大电流的冲击，推荐使用“0-stub”焊盘设计（一端直接接信号线/数据线，另一端直接接公共地）

3）MLV钳位电压必须小于电路能够承受的无损坏电压

4）钳位电压是施加8/20us脉冲波形，1A脉冲电流时，在MLV两端产生的峰值电压。

5）了解被保护电路的数据速度和电路在不扭曲数据的基础上能够处理的最高电容值。（电容越小，更少数据信号传输变形。因此，电容越小，数据传输速度越快。

6）MLV额定工作电压应该大于电路的正常工作电压，而且漏电流不超过10uA.

应用范围

电脑和外围设施、DVD播放器、手机、数字相机、PDAs、MP3播放器、外部存储器等。

抑制各种感性负载切换或各种瞬间噪声在电路板上所产生的EFT和浪涌电压。

保护元件和电路，防止在电源供应、控制和信号线产生的ESD。

为IC CMOS和MOSFET提供在线过压保护。

替换较大的表面贴装TVS齐纳二极管。